G1代OLED蒸镀中试线

测试参数
·主体结构：基片载入及PT清洗+有机蒸镀+金属蒸镀及封装
·基板尺寸：200 mm ×200 mm，厚度0.5-1.1mm
·有机蒸镀（点源）：均匀性误差：≤3%，速率稳定性≤5%
·金属蒸镀（点源）：均匀性误差：≤5%，速率稳定性≤5%
·设备极限真空：2×10﹣7torr

基本配置
·ITO基片载入、载出腔体：装载尺寸：200mm ×200mm,厚度：0.5-1.1mm可装载12片基片或MASK
·ITO基片等离子处理腔体：工艺气体：氮气，氧气，氩气，RF电源：频率13.56MHZ
·机械手传输腔体：用于ITO基片在等离子处理，有机蒸镀以及金属蒸镀的腔体间传递。
·有机蒸镀腔体（机械对位）：单个腔室最多可装载10个点源，最高加热温度600℃，温度控制精度±1℃，均匀性误差：≤3%，速率稳定性≤5%，MASK与基片对位精度±0.2mm
·有机蒸镀腔体（CCD对位）：单个腔室最多可装载10个点源，最高加热温度600℃，温度控制精度±1℃，均匀性误差：≤3%，速率稳定性≤5%，MASK对位精度±5μm
·金属蒸镀腔体：单个腔室最多可装载6个点源，最高加热温度1400℃，温度控制精度±1℃，均匀性误差：≤3%， 速率稳定性≤5%，MASK与基片对位精度±0.2mm
·封装装置：封装过程在手套箱水氧含量小于1ppm的环境中进行，封装过程包含玻璃封装盖板的点胶，玻璃封装盖板与基片之间的压合和UV固化处理