真空镀膜设备—泰科诺

性能参数

·设备型号 :ZHDS400
·真空腔室:结构 方箱式前后开门;配置手套箱
·真空腔室尺寸 :L400×W440×H450mm
·加热温度 :室温~300℃
·旋转基片台 :120mm×120mm
·膜厚不均匀性 :≤±5.0%
·蒸发源 :2组金属源,2~4组有机源
·控制方式 :PLC控制
·占地面积 :主机L1100×W780×H1800mm,手套箱尺寸定制

产品特色

·设备配备4~6组蒸发源,兼容有机蒸发与无机蒸发,多元共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜,功能强大,性
能稳定
·适用于实验室制备金属单质膜、半导体膜、有机膜等
·适用于蒸发镀膜与手套箱环境有机融合,实现蒸镀、封装、测试等工艺无缝对接,广泛用于钙钛矿太阳能
电池/OPV有机太阳能电池及OLED薄膜等研究系统等

性能参数

·设备型号 :JCP500
·真空腔室结构 :立式前开门结构,后置抽气系统
·真空腔室尺寸 :Φ500×H420mm
·加热温度 :室温~500℃
·溅射方式 :上下溅射可选
·旋转基片台 :Φ150mm
·膜厚不均匀性 :Φ100mm范围内≤±5.0%
·溅射靶/蒸发电极 :Φ2、Φ3、Φ4英寸磁控靶2-4支可选
·工艺气体 :2-3路气体流量控制
·控制方式 :PLC控制/工控机全自动控制可选

产品特色

·设备可溅射/蒸发两用;可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金
膜、硬质膜、耐腐蚀膜等
·镀膜示例:银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等
·单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能

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