国产自主研发光刻材料

厚膜光刻胶

·膜厚： 5-17um
·陡直度：75-88°可调
·高感度及工艺宽容度
·高耐热性

电子束光刻胶

电子束光刻胶具有分辨率高、灵敏度好、抗刻蚀能力强等优点，适用于多样的电子束光刻工艺。当前可稳定地实现工艺节点在30~100nm及以上的分辨率，曝光剂量50~300µC/cm2。
·高分辨率
·高灵敏性
·刻蚀选择比好
·与基底兼容好

KrF光刻胶

KrF光刻胶适用于多种KrF工艺，Line/Trench KrF光刻胶，分辨率0.2μm，DOF>400nm；
28nm离子注入层KrF胶，分辨率0.14μm，DOF>250nm；通孔KrF胶，分辨率可达0.18μm，
DOF>600nm。
· 高分辨率
· 适合多种结构
· 工艺窗口大
· 形貌陡直

金属剥离胶

金属剥离胶具备高热稳定性，与其他光刻胶涂层兼容，可于TMAH或KOH中显影，易被光刻胶剥离液去除。目前在工艺中可形成几微米内的双影效果，可应用于金属剥离工艺
·内切结构易控制
·内切随温度变化小
·易于去边
·填充性能好
·被剥离液去除
·与基底兼容好

I-line光刻胶

IP100系列

·膜厚：640-1500nm
·分辨率：0.35um
·陡直度高
·高宽比＞3

负性光刻胶

SN1000系列

·膜厚范围: 8-16μm
·灵敏度（150~250mJ/cm 2 ）
·高分辨率（< 2μm）和高深宽比 > 5
·涂布性能好

Remover 300 系列去胶液

Remover 300 去胶液可以应用于传统半导体、化合物半导体、芯片封装制造制程中的光刻胶、灰化/刻蚀残渣去除。该产品具有去胶速度快、 使用寿命长、对金属腐蚀弱等优点，主要应用于半导体前道、无线设备、光电子器件、MEMS和封装等领域。

·高速去胶能力 5-20Min。
·去胶后可直接纯水冲洗。
·使用周期 Bath Lift 长（正常条件下 24 hours）。
·不含氟化物及羟胺。

BTM系列键合胶性能

·良好的成膜性能
·耐<300℃工艺条件
·强的结合力
·热和机械解键合
·低的键合压力
·低的解键合拉力
·耐湿化学试剂
·易清洗

配套超纯电子溶剂